La mémoire à haute bande passante, ou HBM, prend une place croissante dans l’industrie des semi-conducteurs. Samsung Electronics estime qu’elle pourrait représenter près de 30 % de la capacité mondiale de production de DRAM en 2027, contre environ 20 % actuellement. Cette évolution reflète l’explosion des besoins en mémoire des infrastructures d’intelligence artificielle.
La HBM est conçue pour fournir aux processeurs et accélérateurs d’IA un accès extrêmement rapide à de grandes quantités de données. Sa fabrication mobilise toutefois des capacités qui pourraient autrement être utilisées pour produire de la DRAM conventionnelle. À mesure que les fabricants privilégient les produits HBM, plus rémunérateurs et fortement demandés, l’offre destinée aux ordinateurs, smartphones et serveurs traditionnels peut donc se tendre.
Le mouvement concerne l’ensemble des grands producteurs de mémoire. Samsung Electronics, SK Hynix et Micron sont les principaux acteurs exposés à cette montée en puissance. Pour Samsung, l’enjeu est aussi concurrentiel : le groupe cherche à renforcer sa position sur un marché HBM devenu stratégique avec l’essor des accélérateurs d’IA.
Pour les investisseurs, cette réallocation des capacités peut soutenir les prix et les marges du secteur de la mémoire si la demande reste supérieure à l’offre. Elle crée néanmoins un équilibre délicat : des investissements massifs dans de nouvelles capacités pourraient finir par détendre le marché, tandis qu’un ralentissement des dépenses liées à l’IA modifierait rapidement les perspectives. La trajectoire de la HBM en 2027 sera donc un indicateur important du cycle des semi-conducteurs.